研究方向

1.   自旋极化物理电子学

      窄禁带半导体和稀磁半导体的巨自旋分裂效应及自旋量子调控;窄禁带半导体和窄禁带稀磁半导体自旋霍尔效应以及自旋电子与光场的耦合效应;高居里温度稀磁半导体的微结构、电子结构设计及材料制备;铁磁体/ 半导体,铁磁体/ 铁电体异质结构的电磁和光电特性。

 

2.   铁电薄膜和宽带隙半导体的极化效应

      高性能铁电薄膜单晶和多晶材料、铁电体/ 半导体异质结的制备规律;铁电极化和光热电转换规律及其调控机制;氧化物半导体、氧化物铁电体材料器件技术。

 

3.   新型微纳极化电子器件和硅基集成

      基于电荷极化效应的铁电薄膜(薄层)材料非致冷红外探测器的制备规律,探索制备新型微纳米结构,开拓具有自旋电子器件基元功能的新型器件;开展相关芯片技术及系统应用研究;通过对集成微纳芯片设计和光电器件读出电路的研究,促进凝聚态电子学器件应用和集成电路科学技术的发展。

 

4.   极化效应和凝聚态光电子信息获取学科交叉

      低维体系及异质结构的电子输运、光激发、光电的相互作用;光电材料的时间分辨成像信息光谱的理论和技术基础;用于信息获取的非致冷红外探测和热成像的核心技术;微区、偏振、微区光致发光成像光谱技术;THz 光源、探测、成像光谱技术。