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氧化物薄膜的分子束外延制备与原位电子结构研究

发布日期:2016-10-25   浏览次数

受杨静副研究员的邀请,南京大学青年千人聂越峰将来信息学院作报告,报告具体内容如下:

报告题目:氧化物薄膜的分子束外延制备与原位电子结构研究
报告人:   聂越峰 教授(青年千人,南京大学)
主持人:   唐晓东 教授

报告时间:2016年 10月 27 日(周四)下午 2:00
报告地点:信息楼#133 房间

报告内容:过渡金属氧化物薄膜与界面中可形成丰富而新颖的关联量子现象,在新一代电子器件中有广泛的应用前景。近年来,现代薄膜生长与原位分析测试技术的发展极大地推动了这一领域的快速发展。本报告将介绍分子束外延(MBE)技术在原子尺度氧化物薄膜制备中的应用,以及在层状氧化物制备中的原子层翻转重整现象。同时,也将介绍利用原位角分辨光电子谱研究自旋轨道耦合、维度及氧八面体扭转对5d 轨道电子系统量子基态的调控。

报告人简介:聂越峰,南京大学教授,博导,入选2015年中组部“青年千人”计划。2011年美国康涅狄格大学物理系博士,2011-2014年康奈尔大学材料研究中心博士后。主要研究方向为复杂氧化物薄膜与界面的新颖关联量子现象。擅长通过氧化物分子束外延(MBE)方法制备氧化物薄膜材料,并应用原位角分辨光电子谱(ARPES)研究其电子结构。在PRL,Nature 及其子刊等学术期刊上发表学术论文20余篇。