研究动态
实验室团队合作实现全硅基通讯波段高效光源
  时间:2021-04-03  点击数:138

近日,实验室褚君浩院士团队成员通过和上海交通大学但亚平教授团队合作,在稀土掺杂的全硅基材料体系中,结合理论分析和前沿光谱表征手段,从机理上揭示了掺铒硅中非平衡载流子弛豫/复合的动力学过程,并在LED器件结构中首次观测到近红外波段的光放大现象,这一结果为实现单片集成的全硅基近红外激光芯片提供了技术条件和实验基础,相关成果以《Stimulated emission at 1.54 μm from erbium/oxygen-doped silicon-based light-emitting diodes》为题发表在光子学重要期刊Photonics Research,9(5):714(2021),实验室博士生洪进为论文第一作者,越方禹研究员、段纯刚教授和上海交通大学但亚平教授为论文通讯作者。具体链接见:https://www.osapublishing.org/DirectPDFAccess/9B4D8BAD-66BD-497B-9FB4B5BB06742937_450358/prj-9-5-714.pdf?da=1&id=450358&seq=0&mobile=no

针对这一传统材料体系,团队先期通过特殊的退火技术,突破了常规退火条件下低固溶度的稀土材料在硅中容易形成非辐射复合中心团簇的瓶颈,对硅中铒的发光效率相较现有报道提升了近两个数量级,这为实现上述器件结构中的光放大现象提供了实验基础,相关成果已发表在Advanced Optical Materials,8(18):2000720 (2020),具体链接见:https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adom.202000720